Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 中野 一志; 木下 優子; 野口 裕泰; 奥山 浩之 | |
| 1997-12-22 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 p型導電層中における非発光再結合中心となる欠陥種の生成を抑制することにより、発光効率を高くすると共に劣化を遅くすることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型のGaAs基板1の上にII-VI族化合物半導体によりそれぞれ形成されたn型クラッド層2,ガイド層3,活性層4,ガイド層5およびp型クラッド層6を順次積層する。n型クラッド層2には塩素等のn型不純物を添加する。p型クラッド層6にはp型不純物として窒素を添加すると共に、n型不純物である塩素もp型不純物に比べて少量添加する。これによりp型クラッド層6において、非発光再結合中心となる欠陥種の生成が抑制される。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光元件，其通过抑制在p型导电层中成为非辐射复合中心的缺陷物质的产生来增强其发光效率并延迟其劣化。解决方案：在n型GaAs衬底1上依次堆叠n型覆层2，引导层3，有源层4，引导层5和由II-VI化合物半导体形成的p型覆层6在层2中加入氯等n型杂质。在层6中添加氮作为p型杂质。以比p型杂质少的量添加n型杂质的氯。 。因此，在层6中，抑制了成为非辐射复合中心的缺陷种子的产生。 |
| 申请日期 | 1996-05-20 |
| 专利号 | JP1997331082A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996147885 |
| 公开（公告）号 | JP1997331082A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81791 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,木下 優子,野口 裕泰,等. 半導体発光素子. JP1997331082A[P]. 1997-12-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997331082A.PDF（41KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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