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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010034246A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12
发明人:  中原 宏治;  土屋 朋信;  寺野 昭久;  柳澤 浩徳
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半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009302365A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  中原 宏治
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光半导体元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100530867C, 申请日期: 2009-08-19, 公开日期: 2009-08-19
发明人:  中原宏治;  工藤真;  田中滋久;  白井正敬
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4003250B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-07
发明人:  青木 雅博;  中原 宏治;  魚見 和久;  土屋 朋信;  佐藤 宏
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半導体レーザモジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001094200A, 申请日期: 2001-04-06, 公开日期: 2001-04-06
发明人:  中原 宏治;  魚見 和久
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治
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半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150322A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  中原 宏治;  豊中 隆司;  芳賀 徹;  谷渡 剛;  魚見 和久
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面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン
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GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治
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半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232666A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  魚見 和久;  中原 宏治;  土屋 朋信
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