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| 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009130245A, 申请日期: 2009-06-11, 公开日期: 2009-06-11
发明人: 中西 寿美代; 三宅 輝明; 中島 健二; 河本 清時; 岩本 学; 長尾 泰志
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008258341A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23
发明人: 河本 清時; 三宅 輝明; 中島 健二; 岩本 学; 長尾 泰志; 宮田 譲; 中西 寿美代
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| 半導体レーザ素子の形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008186828A, 申请日期: 2008-08-14, 公开日期: 2008-08-14
发明人: 中西 寿美代; 三宅 輝明; 中島 健二; 岩本 学; 河本 清時; 長尾 泰志; 宮田 譲
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人: 吉年 慶一; 茨木 晃; 林 伸彦; 古沢 浩太郎; 田尻 敦志; 石川 徹; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3234310B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04
发明人: 古沢 浩太郎; 茨木 晃; 林 伸彦; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙
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| 面発光型半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3123846B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-15
发明人: 三宅 輝明; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 石川 徹
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999251678A, 申请日期: 1999-09-17, 公开日期: 1999-09-17
发明人: 三宅 輝明
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| 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2975745B2, 申请日期: 1999-09-03, 公开日期: 1999-11-10
发明人: 石川 徹; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 三宅 輝明
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| 半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163565A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
发明人: 池上 隆俊; 本多 正治; 三宅 輝明; 中島 健二; 藪内 隆稔
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| 半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997148667A, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-06-06
发明人: 本多 正治; 池上 隆俊; 藪内 隆稔; 三宅 輝明; 中島 健二
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