Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 本多 正治; 池上 隆俊; 藪内 隆稔; 三宅 輝明; 中島 健二 | |
| 1997-06-06 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 薄膜成長で格子不整合を生じ素子劣化をさせたり、それを未然に防ぐために一定期間素子製造を行った後に、定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成長させ、素子製造と異なるプロセスで煩雑な作業を繰り返し、また材料も無駄にすることとなった。 【解決手段】 基板の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上に4元系のクラッド層を形成し、そのクラッド層の下もしくはクラッド層の中に特定組成のモニタ層を厚膜成長させ、クラッド層の上に特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは障壁層として積層し量子井戸型の活性層や光ガイド層をさらに積層する。モニタ層は上側クラッド層に設けてもよい。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了确保沉积特性，在元件制造一段时间之后提供能够周期性地生长厚膜的生长装置，以便在薄膜生长中引起晶格失配，从而导致元件劣化或防止其发生另外，在与装置制造不同的过程中重复麻烦的工作，废料也浪费。 解决方案：在基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成四元包覆层，通过厚膜生长在包层或包层下形成特定成分的监视层然后，将具有特定组成的薄膜层压作为包层上的导光层或阻挡层，并进一步层叠量子阱活性层和导光层。监视器层可以设置在上包覆层中。 |
| 申请日期 | 1995-11-22 |
| 专利号 | JP1997148667A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995304350 |
| 公开（公告）号 | JP1997148667A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 岡田 敬 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76903 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,池上 隆俊,藪内 隆稔,等. 半導体レーザ. JP1997148667A[P]. 1997-06-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997148667A.PDF（20KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| [藪内 隆稔]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| [藪内 隆稔]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| [藪内 隆稔]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论