Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 石川 徹; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 三宅 輝明 | |
| 1999-09-03 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1999-11-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 本発明は、活性層を含む被埋め込み部とこの周囲に電流ブロック層からなる埋め込み部をもつ面発光半導体レーザ装置において、電流ブロック層に生じるピット等による電流阻止効果の低減を防止する半導体レーザ装置とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n型クラッド層3上に被埋め込み部7を隔ててP型活性層4と同じ材料からなる補助電流ブロック層8を構成し、この補助電流ブロック層8及び露出したクラッド層3上にp型、n型電流ブロック層9、10をこの順に構成する。 |
| 其他摘要 | 用途：为了防止由于在待掩埋部分上具有由电流阻挡层组成的埋层的表面发射半导体激光器件中的电流块上产生的凹坑等引起的电流阻挡效应的降低，包含有源层，它的周长。组成：辅助电流阻挡层8，由与P型有源层4相同的材料组成，通过埋层7的中间层形成在N型覆层3上的N型覆层3上，并且在上述辅助电流阻挡层8和暴露的包层3上形成P型和N型电流阻挡层9和10。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-11-12 |
| 专利号 | JP2975745B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991295834 |
| 公开（公告）号 | JP2975745B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 安富 耕二 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44482 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 徹,茨木 晃,古沢 浩太郎,等. 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法. JP2975745B2[P]. 1999-09-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2975745B2.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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