Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ素子 |
| 三宅 輝明; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 石川 徹 | |
| 2000-10-27 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2001-01-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 低抵抗で且つ高反射率可能な半導体多層膜反射鏡膜を有する面発光型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型Ga0.6Al0.4As第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成されたp型GaAs活性層と、該活性層上に形成されたp型Ga0.6Al0.4As第2クラッド層5と、からなるダブルヘテロ構造部を備え、このダブルヘテロ構造部上にp型AlAs第1半導体層7aとp型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7bがi型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7cを介して交互に積層されてなる第2半導体多層膜反射鏡7を設けた構成とした。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种表面发射半导体激光器件，其具有低电阻和高反射率的半导体多层反射器膜。 形成在第一覆层上的p型GaAs有源层;和形成在有源层上的第二覆层，其中第一覆层由n型Ga 0.6 Al 0.4 0.6 Al 0.4 作为形成在双异质结构部分上的第二包层5，和p类型AlAs第一半导体层7a和p型Ga 0.85 Al 0.15 作为第二半导体层7b是i型Ga 0.85 |
| 申请日期 | 1992-12-22 |
| 专利号 | JP3123846B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992342468 |
| 公开（公告）号 | JP3123846B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 芝野 正雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47478 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 輝明,茨木 晃,古沢 浩太郎,等. 面発光型半導体レーザ素子. JP3123846B2[P]. 2000-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3123846B2.PDF（36KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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