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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数据... [6]
作者
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专利 [6]
发表日期
2006 [4]
2001 [1]
1999 [1]
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专题:半导体激光器专利数据库
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制造激光器件的方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877931A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:
石田真也
;
小河淳
;
花冈大介
Adobe PDF(2244Kb)
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提交时间:2020/01/18
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:
山本秀一郎
;
小河淳
;
石田真也
;
神川刚
Adobe PDF(1106Kb)
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提交时间:2020/01/18
窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
发明人:
谷 善彦
;
小河 淳
;
石田 真也
Adobe PDF(112Kb)
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2019/12/31
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3771987B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-05-10
发明人:
小河 淳
;
湯浅 貴之
Adobe PDF(38Kb)
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提交时间:2019/12/24
窒素化合物半導体発光素子
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08
发明人:
荒木 正浩
;
湯浅 貴之
;
上田 吉裕
;
小河 淳
;
津田 有三
Adobe PDF(48Kb)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/12/31
化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135882A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
发明人:
小河 淳
;
湯浅 貴之
Adobe PDF(43Kb)
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提交时间:2019/12/30