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Study of Temperature Effects on the Design of Active Region for 808 nm High-Power Semiconductor Laser 期刊论文
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 1
作者:  Wu, Shunhua;  Li, Te;  Wang, Zhenfu;  Chen, Lang;  Zhang, Jiachen;  Zhang, Junyue;  Liu, Jiachen;  Zhang, Yeqi;  Deng, Liting
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semiconductor laser  temperature effects  carrier confinement  internal quantum efficiency  
Epitaxially-Stacked High Efficiency Laser Diodes Near 905 nm 期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 卷号: 14, 期号: 6
作者:  Zhao, Yuliang;  Yang, Guowen;  Zhao, Yongming;  Tang, Song;  Lan, Yu;  Liu, Yuxian;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah
Adobe PDF(1487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：86/2  |  提交时间：2022/11/08
Epitaxial growth  Resistance  Doping  Optical losses  Optical device fabrication  Stacking  Optical refraction  Epitaxial stacking  high efficiency  laser diode  low optical loss  n-doping concentration  power scaling  specific resistance  tunnel junction  
Optimization of the epitaxial structure of low-loss 885nm high-power laser diodes 会议论文
Sixteenth National Conference on Laser Technology and Optoelectronics, Shanghai, China, 2021-06-03
作者:  Wu, Shun-Hua;  Li, Te;  Wang, Dan;  Yu, Xue-Cheng;  Wang, Zhen-Fu;  Liu, Guo-Jun
Adobe PDF(807Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/1  |  提交时间：2022/01/21
885nm  low loss  asymmetric waveguide  high power  high power conversion efficiency