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双应力条件下高功率半导体激光器寿命预测与可靠性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2023
作者:  张业奇
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高功率半导体激光器  加速退化试验  双应力  寿命  失效分析  
双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法 期刊论文
红外与激光工程, 2023, 卷号: 52, 期号: 5
作者:  张业奇;  王贞福;  李特;  陈琅;  张佳晨;  吴顺华;  刘嘉辰;  杨国文
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大功率半导体激光器  加速退化试验  双应力  寿命  
Study of Temperature Effects on the Design of Active Region for 808 nm High-Power Semiconductor Laser 期刊论文
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 1
作者:  Wu, Shunhua;  Li, Te;  Wang, Zhenfu;  Chen, Lang;  Zhang, Jiachen;  Zhang, Junyue;  Liu, Jiachen;  Zhang, Yeqi;  Deng, Liting
Adobe PDF(5029Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/1  |  提交时间：2023/02/14
semiconductor laser  temperature effects  carrier confinement  internal quantum efficiency  
半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101569068A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
发明人:  大野启;  长谷川义晃;  杉浦胜己
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