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High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:  Wang, JX;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, JM;  Zeng, YP;  Hou, X;  Lin, LY
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  
Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:  Liang, JC;  Zhao, JL;  Gao, Y;  Dou, K;  Huang, SH;  Yu, JQ;  Gao, HK
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STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:  ZHAO, JL;  GAO, Y;  LIU, XY;  DOU, K;  HUANG, SH;  YU, JQ;  LIANG, JC;  GAO, HK
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