中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 511-+
作者:  Wang Tao;  Yang Jin;  Yin Fei;  Wang Jing-Wei;  Hu Ya-Nan;  Zhang Li-Chen;  Yin Jing-Zhi
Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：193/4  |  提交时间：2015/09/28
Inas/gasb Superlattice  Band Gap  Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Mocvd)  Atomic Force Microscope(Afm)  Pl Spectra  
InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  ChangYuchun;  WangTao;  YinFei;  WangJingwei;  SongZhenyu;  WangYiding;  YinJingzhi;  Jingzhi Yin
Adobe PDF(700Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：563/6  |  提交时间：2012/06/29
Inas/gasb Superlattices  Inassb Interface Layer  Growth Temperature  Lp-mocvd  
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
Adobe PDF(2341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：344/1  |  提交时间：2010/01/12
Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Mocvd)  Antimonides  Semiconducting Indium Compounds  
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei;  Niu Han-Ben
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：204/0  |  提交时间：2015/08/18
Surface Treated  Mocvd  Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)  Gan Film  
Ge衬底上GaInP2材料的生长研究 期刊论文
光子学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 909-911
作者:  李晓婷;  汪韬
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：292/0  |  提交时间：2010/01/12