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Method and apparatus for stress pulsed release and actuation of micromechanical structures 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: AU2000053074A1, 申请日期: 2000-12-28, 公开日期: 2000-12-28
发明人:  KAAJAKARI, VILLE;  LAL, AMIT
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Laser emission component with injection zone of limited width 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP0788202B1, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
发明人:  NABET, BERNARD;  BOULEY, JEAN-CLAUDE;  BOUADMA, NORDINE
收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2019/12/26
A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
发明人:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Direct injection high efficiency nebulizer for analytical spectrometry 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6166379, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  MONTASER, AKBAR;  MCLEAN, JOHN A.;  KACSIR, JEROLD M.
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Method of fabricating a high power semiconductor laser with self-aligned ion implantation 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6165811, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  LEE, JUNG KEE;  PARK, KYUNG HYUN;  CHO, HO SUNG;  NAM, EUN SOO;  JANG, DONG HOON
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Modulated cap thin p-clad semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6167072, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  ZORY, JR., PETER S.
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近接場光発生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000357339A, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  鈴木 雄二郎
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Thermal lens elimination by gradient-reduced zone coupling of optical beams 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6167069, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  PAGE, RALPH H.;  BEACH, RAYMOND J.
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WDM system for reduced SBS 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6166837, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  ADAMS, LAURA ELLEN;  BETHEA, CLYDE GEORGE;  ESKILDSEN, LARS ERIK;  NYKOLAK, GERALD;  PEOPLE, ROOSEVELT;  TANBUN-EK, TAWEE
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画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000355117A, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  増田 道晴
Adobe PDF(63Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2020/01/13