Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Modulated cap thin p-clad semiconductor laser | |
| 其他题名 | Modulated cap thin p-clad semiconductor laser |
| ZORY, JR., PETER S. | |
| 2000-12-26 | |
| 专利权人 | UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INCORPORATED |
| 公开日期 | 2000-12-26 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser structure for use having a laser substructure so constructed and arranged to have an active region in close proximity to the top surface region and separated therefrom by a separation region, the separation region having a lower refractive index than the top surface region and the active region. |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器结构，其具有激光子结构，其构造和布置成具有靠近顶表面区域并通过分离区域与其分离的有源区域，该分离区域具有比顶表面区域低的折射率和活跃地区。 |
| 授权日期 | 2000-12-26 |
| 申请日期 | 1998-06-05 |
| 专利号 | US6167072 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US09/092079 |
| 公开（公告）号 | US6167072 |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 | H01S5/40 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | MILES & STOCKBRIDGE CLARKE, DENNIS P. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41711 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INCORPORATED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZORY, JR., PETER S.. Modulated cap thin p-clad semiconductor laser. US6167072[P]. 2000-12-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US6167072.PDF（213KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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