半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	鶴岡清貴
	1999-10-29
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1999-12-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】電流ブロック層形成時にn型InP層との接触を回避し高温高出力での特性劣化を生じない半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 p型InP基板101上にメサ形成用マスク102を設けた後、ストライプ状メサを形成し、選択成長によりp型InP埋込層104、n型InP電流ブロック層105を順次積層する。マスク除去後、基板全面にp型InPクラッド層106、活性層107、n型InPクラッド層108を順次積層する。次いで活性層形成用マスク109を形成し、これを用いてn型InPクラッド層108、活性層107を所望のストライプ幅にエッチングする。その後、活性層形成用マスク109を用い、活性層107の両脇にp型InP電流ブロック層110を形成する。活性層形成用マスク109を除去した後、基板全面にn型InP埋込層111を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器，其通过在形成电流阻挡层时避免与n型InP层接触而不会在高温和高输出下引起特性劣化。解决方案：在p型InP衬底101上提供用于台面形成的掩模102之后，制作条形台面，并且按顺序堆叠p型InP嵌入层104和n型InP电流阻挡层105通过选择性增长。在去除掩模之后，依次堆叠p型InP包覆层106，有源层107和n型InP包覆层108。接下来，制作用于形成有源层的掩模109，并且使用该掩模109将n型InP包层1-8和有源层107蚀刻成期望的条带宽度。然后，使用掩模1-9形成有源层，在有源层107的两侧形成p型InP电流阻挡层110.在去除掩模1-9以形成有源层之后在n层InP嵌入层111中，n型InP嵌入层111是在衬底的整个表面上的模式。
申请日期	1997-09-26
专利号	JP2996221B2
专利状态	失效
申请号	JP1997262390
公开（公告）号	JP2996221B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	若林忠 (外4名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83530
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	鶴岡清貴. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2996221B2[P]. 1999-10-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2996221B2.PDF（178KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文