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半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
发明人:  鶴岡 清貴;  加藤 友章;  佐藤 健二;  須藤 信也;  岡本 健志;  水谷 健二;  森本 卓夫
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光集積モジュール 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3479220B2, 申请日期: 2003-10-03, 公开日期: 2003-12-15
发明人:  加藤 友章
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光集積回路の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3263949B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11
发明人:  小松 啓郎;  佐々木 達也;  加藤 友章;  水戸 郁夫
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埋め込み構造半導体光導波路素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2917787B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
发明人:  加藤 友章
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2701569B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-21
发明人:  佐々木 達也;  水戸 郁夫;  加藤 友章
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