Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 鶴岡 清貴 | |
| 2000-05-16 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 2000-05-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 電流ブロック層とクラッド層との接触を回避して、高温高出力時の特性劣化を防止する。 【解決手段】 第1マスク膜9をエッチングマスクとして用いて上部クラッド層3を含む半導体積層構造10をメサ状に形成した後、第1マスク膜9を囲むように第2マスク膜14を形成して、この第2マスク膜14を選択成長用マスクとして用いて第2マスク膜14の周囲に第1電流ブロック層6を形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：避免电流阻挡层和包层之间的接触，以防止高温和高输出特性的劣化。 解决方案：通过使用第一掩模膜9作为蚀刻掩模，以台面形状形成包括上覆层3的半导体多层结构10，然后形成第二掩模膜14以包围第一掩模膜9使用该第二掩模膜14作为用于选择性生长的掩模，在第二掩模膜14周围形成第一电流阻挡层6。 |
| 申请日期 | 1998-10-30 |
| 专利号 | JP2000138418A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998311486 |
| 公开（公告）号 | JP2000138418A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/227 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 西村 征生 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77172 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴. 半導体レーザの製造方法. JP2000138418A[P]. 2000-05-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000138418A.PDF（144KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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