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化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1484324B, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
发明人:  山中贞则;  土田良彦;  小野善伸;  家近泰
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小信号低频电流调制下激光频移数学模型 期刊论文
红外与激光工程, 2011, 期号: 08, 页码: 1465-1468
作者:  阎得科;  钟镇;  孙传东
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分布反馈式半导体激光器  调制电流  频率偏移  数学模型