Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 | |
| 其他题名 | 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 |
| 山中贞则; 土田良彦; 小野善伸; 家近泰 | |
| 2011-01-19 | |
| 专利权人 | 住友化学工业株式会社 |
| 公开日期 | 2011-01-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 为了提高发光效率而不致降低发光层结构的保护性能，设置了一种与发光层结构相接触的由第一到第三层组成的3-层p-型层结构。第一层是一层n-型AlGaN层，它用作保护层，第三层是一层GaN:Mg层，它用作接触层，形成在这两层之间的第二层是一层作为中间层的AlGaN:Mg层，设置中间层，即使在n-型AlGaN层做得很薄的情况下，也能使InGAN层在其上生长延层时得到彻底的防热保护，以此可以使GaN:Mg层设置得接近发光层结构，以增强向发光层结构中注入空穴的效率，从而提高发光效率。 |
| 其他摘要 | 为了提高发光效率而不致降低发光层结构的保护性能，设置了一种与发光层结构相接触的由第一到第三层组成的3-层p-型层结构。第一层是一层n-型AlGaN层，它用作保护层，第三层是一层GaN:Mg层，它用作接触层，形成在这两层之间的第二层是一层作为中间层的AlGaN:Mg层，设置中间层，即使在n-型AlGaN层做得很薄的情况下，也能使InGAN层在其上生长延层时得到彻底的防热保护，以此可以使GaN:Mg层设置得接近发光层结构，以增强向发光层结构中注入空穴的效率，从而提高发光效率。 |
| 申请日期 | 2003-07-08 |
| 专利号 | CN1484324B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03127475.7 |
| 公开（公告）号 | CN1484324B |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/00 | H01L33/14 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | 吴立明 | 梁永 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47888 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中贞则,土田良彦,小野善伸,等. 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件. CN1484324B[P]. 2011-01-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1484324B.PDF（868KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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