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长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103280695B, 申请日期: 2016-04-27, 公开日期: 2016-04-27
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103368074B, 申请日期: 2015-12-23, 公开日期: 2015-12-23
发明人:  赵勇明;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  曾徐路;  于淑珍;  赵春雨;  杨辉
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垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104577711A, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  何洋;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨
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红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103401144A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
发明人:  赵勇明;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  曾徐路;  于淑珍;  赵春雨;  杨辉
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/12/31
激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103326242A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨
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