激光器有源区、半导体激光器及其制作方法

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	激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
其他题名	激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
	曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨
	2013-09-25
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2013-09-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20，并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明提供的半导体激光器具有更低的阈值电流，较高的特征温度，可实现无制冷工作；具有较高的微分增益，可提供TM模式激光输出；具有较大的导带带阶比，可同时实现对注入载流子进行有效的限制和载流子在阱间的均匀分布，提高激光器调制特性。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20，并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明提供的半导体激光器具有更低的阈值电流，较高的特征温度，可实现无制冷工作；具有较高的微分增益，可提供TM模式激光输出；具有较大的导带带阶比，可同时实现对注入载流子进行有效的限制和载流子在阱间的均匀分布，提高激光器调制特性。
申请日期	2013-07-04
专利号	CN103326242A
专利状态	授权
申请号	CN201310279168.6
公开（公告）号	CN103326242A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	杨林 \| 李友佳
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86196
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曾徐路,董建荣,李奎龙,等. 激光器有源区、半导体激光器及其制作方法. CN103326242A[P]. 2013-09-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103326242A.PDF（639KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文