Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 |
| 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 | |
| 2015-12-23 | |
| 专利权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 公开日期 | 2015-12-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 |
| 授权日期 | 2015-12-23 |
| 申请日期 | 2013-07-18 |
| 专利号 | CN103368074B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310302799.5 |
| 公开（公告）号 | CN103368074B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 杨林 | 李友佳 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42923 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,董建荣,李奎龙,等. 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法. CN103368074B[P]. 2015-12-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103368074B.PDF（516KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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