一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法

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	一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法
其他题名	一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法
	曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
	2016-03-09
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2016-03-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱，在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层，在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长，具有比InP基激光器更低的生产成本，有较高的特征温度，能够有效阻止载流子溢出有源区，可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。
其他摘要	本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱，在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层，在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长，具有比InP基激光器更低的生产成本，有较高的特征温度，能够有效阻止载流子溢出有源区，可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。
申请日期	2013-05-14
专利号	CN103259193B
专利状态	授权
申请号	CN201310176408.X
公开（公告）号	CN103259193B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	宋鹰武
代理机构	深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50429
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曾徐路,董建荣,李奎龙,等. 一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法. CN103259193B[P]. 2016-03-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103259193B.PDF（567KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文