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具有低阀值电流的半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109428264A, 申请日期: 2019-03-05, 公开日期: 2019-03-05
发明人:  亚力克斯 约丁;  谷善彦;  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特;  伊藤茂稔
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氮化物半导体激光器及晶片 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
发明人:  谷健太郎;  谷善彦;  川上俊之
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299481A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  谷健太郎;  川上俊之;  谷善彦
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011023406A, 申请日期: 2011-02-03, 公开日期: 2011-02-03
发明人:  川口 佳伸;  谷 善彦
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窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
发明人:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也
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