具有低阀值电流的半导体激光二极管

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	具有低阀值电流的半导体激光二极管
其他题名	具有低阀值电流的半导体激光二极管
	亚力克斯约丁; 谷善彦; 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特; 伊藤茂稔
	2019-03-05
专利权人	夏普株式会社
公开日期	2019-03-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
其他摘要	一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
主权项	一种III族氮化物基激光二极管，其特征在于，包括： n侧III族氮化物基半导体区域； p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区，所述III族氮化物基有源区包括第一和第二量子阱层，以及位于所述第一和第二量子阱层之间的势垒层，所述第一和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量；其中所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且所述第一量子阱具有比所述第二量子阱更大的带隙。
申请日期	2018-08-22
专利号	CN109428264A
专利状态	申请中
申请号	CN201810962554.8
公开（公告）号	CN109428264A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	汪飞亚 \| 习冬梅
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55043
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	夏普株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	亚力克斯约丁,谷善彦,瓦莱里·贝里曼-博斯奎特,等. 具有低阀值电流的半导体激光二极管. CN109428264A[P]. 2019-03-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109428264A.PDF（896KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文