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一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104515592B, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
发明人:  刘晖;  袁治远;  崔龙;  王昊;  吴迪;  刘兴胜
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一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104596639B, 申请日期: 2017-04-19, 公开日期: 2017-04-19
发明人:  刘晖;  袁治远;  崔龙;  王昊;  吴迪;  刘兴胜
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半导体激光器LIV特性测试仪器 专利
专利类型: 外观设计, 专利号: CN303346413S, 申请日期: 2015-08-26, 公开日期: 2015-08-26
发明人:  袁治远;  吴迪;  刘晖;  崔龙
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半导体激光器LIV特性测试仪器 专利
专利类型: 外观设计, 专利号: CN303346413S, 申请日期: 2015-08-26, 公开日期: 2015-08-26
发明人:  袁治远;  吴迪;  刘晖;  崔龙
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半导体激光器光电及偏振特性测试系统 专利
专利类型: 外观设计, 专利号: CN303306759S, 申请日期: 2015-07-29, 公开日期: 2015-07-29
发明人:  袁治远;  刘晖;  孙翔;  王昊;  李希;  刘兴胜
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一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204439208U, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
发明人:  刘晖;  袁治远;  崔龙;  王昊;  吴迪;  刘兴胜
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一种用于半导体光源的三维远场强度的快速表征装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204346582U, 申请日期: 2015-05-20, 公开日期: 2015-05-20
发明人:  刘晖;  袁治远;  崔龙;  王昊;  吴迪;  刘兴胜
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Characterization of Far Field of Diode Laser by Three Dimensional Measurement 会议论文
COMPONENTS AND PACKAGING FOR LASER SYSTEMS, San Francisco, CA, 2015-02-09
作者:  Liu, Hui;  Yuan, Zhiyuan;  Cui, Long;  Wu, Di;  Liu, Xingsheng
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