一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置

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	一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置
其他题名	一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置
	刘晖; 袁治远; 崔龙; 王昊; 吴迪; 刘兴胜
	2017-04-19
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2017-04-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置，能够探测半导体光源真实的远场三维强度分布。该表征装置，包括底座、光电探测器、旋转组件和摆动组件；所述旋转组件固定于底座上，摆动组件通过安装支架固定于旋转组件的旋转部，使得摆动组件的整体能够由所述旋转组件带动旋转且其自身的摆动保持相对独立；光电探测器固定安装于摆动组件上，光电探测器因摆动组件的摆动形成的弧形轨迹始终垂直于旋转部的旋转平面，并与旋转部的旋转轴共面。本发明结构简明，可靠性高，不存在旋转臂之间相互干涉现象，能够测得半导体激光器辐射强度真实的空间三维分布，可进一步实现远场特性表征。
其他摘要	本发明提供一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置，能够探测半导体光源真实的远场三维强度分布。该表征装置，包括底座、光电探测器、旋转组件和摆动组件；所述旋转组件固定于底座上，摆动组件通过安装支架固定于旋转组件的旋转部，使得摆动组件的整体能够由所述旋转组件带动旋转且其自身的摆动保持相对独立；光电探测器固定安装于摆动组件上，光电探测器因摆动组件的摆动形成的弧形轨迹始终垂直于旋转部的旋转平面，并与旋转部的旋转轴共面。本发明结构简明，可靠性高，不存在旋转臂之间相互干涉现象，能够测得半导体激光器辐射强度真实的空间三维分布，可进一步实现远场特性表征。
授权日期	2017-04-19
申请日期	2014-12-20
专利号	CN104596639B
专利状态	授权
申请号	CN201410810328.X
公开（公告）号	CN104596639B
IPC 分类号	G01J1/42
专利代理人	胡乐
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40014
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘晖,袁治远,崔龙,等. 一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置. CN104596639B[P]. 2017-04-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104596639B.PDF（150KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文