Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 小野澤 和利 | |
| 2008-10-10 | |
| 专利权人 | パナソニック株式会社 |
| 公开日期 | 2008-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】複数の半導体素子をハイブリッドに集積化してなる半導体装置において、製造時にFSA法を用いながらも、各半導体素子を容易に且つ確実に実装できるようにする。 【解決手段】複数の半導体レーザ素子における配置パターンと対応する位置にそれぞれ開口部30a、30bを有するテンプレート30を形成し、その後、各半導体レーザ素子を配置する実装用のウエハ10Aの主面上にテンプレート30を保持する。続いて、複数の半導体レーザ素子を液体中に分散し、複数の半導体レーザ素子が分散した液体をテンプレート30が保持されたウエハ10Aの上に流すことにより、複数の半導体レーザ素子をテンプレート30の各開口部30a、30bにそれぞれ自己整合的に嵌め込む。 【選択図】 図2 |
| 其他摘要 | 公开了通过集成多个在混合半导体元件，同时使用FSA方法在制造时，使得相应的半导体元件，可以容易且可靠地实现形成的半导体器件。 多个布置在所述元件图案的半导体激光器的分别对应于位置开口30a，以形成模板30具有一如图30B所示，然后，将晶片10A的主表面上，用于安装将每个半导体激光器元件模板30持有。然后，由多个在液体半导体激光元件的分散，通过流，其中多个半导体激光元件的分散在所述模板30的晶片10A的液体被保持时，每个模板30的多个半导体激光元件中的开口30a，30b的其 |
| 申请日期 | 2002-09-27 |
| 专利号 | JP4197420B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2002283684 |
| 公开（公告）号 | JP4197420B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/022 | H01L21/70 | H01L25/075 | H01L21/98 | G11B7/125 | G11B |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 小山 廣毅 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 手島 勝 | 藤田 篤史 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33817 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野澤 和利. 半導体装置の製造方法. JP4197420B2[P]. 2008-10-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4197420B2.PDF（70KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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