Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 小野澤 和利; 上田 哲三; 上田 大助 | |
| 2007-12-21 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】ハイブリッドに集積化する半導体レーザ素子アレイにおいて、各半導体レーザチップの発光点の間隔を自己整合的に制御できるようにする。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、例えばシリコンからなり、その主面に互いに間隔をおいて形成された第1のリセス部10a及び第2のリセス部10bとを有する基板10を備えている。第1のリセス部10aには、赤外レーザ光を発光する機能ブロック化された第1の半導体レーザ素子11が嵌め込まれ、第2のリセス部10bには、赤色レーザ光を発光する機能ブロック化された第2の半導体レーザ素子12が嵌め込まれている。 【選択図】 図1 |
| 其他摘要 | 本发明公开了集成在混合的半导体激光元件阵列，以允许空间自我控制半导体激光器芯片的发光点。 一种半导体激光器件100中，例如，硅，具有第一凹部10a和在主表面上相互隔开形成的第二凹部10b的衬底10。第一凹部10a中，第一半导体激光元件11，其是功能块，用于发射红外激光束被装配，在第二凹部10b射出的红色激光束，功能块第二半导体激光元件12装配即是。 发明背景 |
| 申请日期 | 2002-08-20 |
| 专利号 | JP4057861B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2002239636 |
| 公开（公告）号 | JP4057861B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S | H01S5/02 | G11B7/125 | G11B7/22 | H01S3/04 | G11B7/00 | H01S5/40 | H01S5/022 | G11B7/1275 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 小山 廣毅 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 手島 勝 | 藤田 篤史 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33812 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野澤 和利,上田 哲三,上田 大助. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP4057861B2[P]. 2007-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4057861B2.PDF（90KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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