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氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重;  阿部真司;  佐久间仁
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2908111B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
发明人:  大石 敏之;  大村 悦司
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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
发明人:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11
发明人:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
发明人:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次;  大石 敏之
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半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
发明人:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次;  大石 敏之
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光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
发明人:  杉本 博司;  後藤田 光伸;  井須 俊郎;  阿部 雄次;  大塚 健一;  大石 敏之
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995007862B2, 申请日期: 1995-01-30, 公开日期: 1995-01-30
发明人:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁
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