Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 分布帰還型半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| 阿部 雄次; 大塚 健一; 杉本 博司; 大石 敏之; 松井 輝仁 | |
| 1997-07-04 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1997-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To provide a narrow spectral line width characteristic where a mode is stabilized upon high output power by changing a coupling constant in the direction of a resonator by changing the pitch of a diffraction grating. CONSTITUTION:There are successively grown on an n-InP substrate 1 an n- InGaAsP active layer 2, a P-InGaAsP diffraction grating layer 3, a P-InP capping layer 4 (thickness=t). Then, opposite ends of the layer 4 are etched into a film thickness satisfying s |
| 其他摘要 | 目的：通过改变衍射光栅的间距，通过改变谐振器方向的耦合常数，提供窄谱线宽特性，其中模式在高输出功率下稳定。组成：在n-InP衬底1上连续生长n-InGaAsP有源层2，P-InGaAsP衍射光栅层3，P-InP覆盖层4（厚度= t）。然后，将层4的相对端蚀刻成满足s |
| 申请日期 | 1989-04-20 |
| 专利号 | JP2669045B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1989102207 |
| 公开（公告）号 | JP2669045B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 宮田 金雄 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34876 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 雄次,大塚 健一,杉本 博司,等. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2669045B2[P]. 1997-07-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2669045B2.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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