半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	阿部雄次; 杉本博司; 大塚健一; 大石敏之; 松井輝仁
	1995-01-30
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	1995-01-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To form the embedded layer of an embedded type semiconductor laser element simply and efficiently, by introducing etching gas into a vapor phase epitaxy apparatus, and etching a semiconductor substrate. CONSTITUTION:An InGaAsP active layer 2, an N-type InP clad layer 3 and a patterning mask 4 for a nitride film are formed on a P-type InP substrate Thereafter, the substrate 1 is mounted on a holder 9 in a reacting tube 5 in a vapor phase epitaxy apparatus. A cover 10 is closed, and the substrate 1 is shut off from the atmosphere in the tube 5. Thereafter, the temperature of the substrate 1 and an In source part 8 is increased. Specified H2 gas is introduced into the tube 5 through introducing devices 6 and 7 and a pipe 15. Thus, an InP epitaxial layer is grown on the substrate. Then, the tube 5 is pervaded with an etching atmosphere by HCl gas from a cylinder 14a. The cover 10 is opened. The substrate 1 undergoes mesa etching through the mask 4. Thereafter, a valve 17 is closed, and of the tube 5 is pervaded with an epitaxial growing atmosphere. The cover 10 is opened. An InP embedded layer 13 is epitaxially grown in the mesa-etched substrate in the atmosphere in the tube 5.
其他摘要	目的：通过将蚀刻气体引入气相外延装置中，并简单有效地形成嵌入式半导体激光元件的嵌入层，并蚀刻半导体衬底。组成：在P型InP基板1上形成InGaAsP有源层2，N型InP包层3和用于氮化膜的图案化掩模4.然后，将基板1安装在支架9上进行反应管5在气相外延装置中。盖10关闭，基板1与管5中的气氛隔绝。此后，基板1和In源部8的温度升高。通过引入装置6和7以及管15将指定的H 2气体引入管5.因此，在衬底上生长InP外延层。然后，通过来自气缸14a的HCl气体在管5中充满蚀刻气氛。盖10打开。衬底1通过掩模4进行台面蚀刻。此后，关闭阀门17，并且管子5充满外延生长气氛。盖10打开。 InP嵌入层13在管5的气氛中在台面蚀刻的基板中外延生长。
申请日期	1988-01-25
专利号	JP1995007862B2
专利状态	失效
申请号	JP1988013996
公开（公告）号	JP1995007862B2
IPC 分类号	H01S \| H01L \| H01L21/314 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	早瀬憲一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77927
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	阿部雄次,杉本博司,大塚健一,等. 半導体レーザの製造方法. JP1995007862B2[P]. 1995-01-30.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995007862B2.PDF（21KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文