Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体装置及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置及其制造方法 |
| 盐泽胜臣; 金本恭三; 大石敏之; 黑川博志; 川崎和重; 阿部真司; 佐久间仁 | |
| 2009-05-27 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2009-05-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体装置，具备： 在表面具有脊的P型半导体层； 至少覆盖所述脊的侧面的绝缘膜； 形成在所述绝缘膜的表面并且以硅为主要成分的粘合层； 在所述脊的上表面以及所述粘合层的表面形成的电极。 |
| 申请日期 | 2008-11-20 |
| 专利号 | CN101442184A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200810173377.1 |
| 公开（公告）号 | CN101442184A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/323 | C23C14/54 | C23C14/04 | C23C14/34 |
| 专利代理人 | 闫小龙 | 蒋骏 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63649 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盐泽胜臣,金本恭三,大石敏之,等. 氮化物半导体装置及其制造方法. CN101442184A[P]. 2009-05-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101442184A.PDF（423KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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