半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	庄野昌幸; 廣山良治; 吉年慶一
	1995-11-28
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1995-11-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】この発明は、井戸層と障壁層にそれぞれ、逆方向に加える歪量を最適なものにし、井戸層に大きな歪をかけ、レーザ特性の改善を行うことを目的とする。【構成】半導体基板上に形成された井戸層と障壁層を交互に積層した構造からなる量子井戸層で活性層4が構成され、この活性層4を挟むようにクラッド層3、5が設けられた半導体レーザ装置において、各井戸層の歪量を-0.8%ないし-5%、膜厚80Åないし180Åで構成し、各障壁層の歪量を+0.5%ないし+0%、膜厚20Åないし60Åで構成し、井戸層及び障壁層を2ないし4層に積層する。
其他摘要	目的：通过一种方法优化分别在反方向上施加到井层和阻挡层的应变水平，其中通过井的层数计算积聚在活性部分中的应变的产物和膜厚度的特定关系。要满足层，阻挡层和引导层。组成：在标题半导体系统中，有源层5由应变多量子阱层组成，使用阱层42和阻挡层43，阻挡层43通过MBE工艺在来自n型覆层3的引导层41之间形成一对。接下来，为了计算应变水平，以下元素分别假设如下，即半导体的光栅常数作为（a）的基板，作为（aw1）的第i阱层42的膜厚，作为tw1的阱层41的膜厚，第i阻挡层43，作为（ab1）的引导层41，第8是阻挡层43的光栅，引导层41的光栅为（tw1），第i阻挡层43的膜厚，引导层41为（tb1），以及由stalain水平和膜厚度的乘积表示的公式活跃的部分4为DELTA。此时，DELTAaw1，DELTAab1分别满足以下整数和不等式，即-2,0％（米）<= DELTA <0。因此，可以在反转方向上分别施加到阱层41和条壁层43的starin水平改进。
申请日期	1995-03-24
专利号	JP1995312465A
专利状态	失效
申请号	JP1995066011
公开（公告）号	JP1995312465A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	鳥居洋
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77605
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	庄野昌幸,廣山良治,吉年慶一. 半導体レーザ装置. JP1995312465A[P]. 1995-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995312465A.PDF（38KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文