半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	別所靖之; 米田幸司; 吉年慶一; 山口隆夫
	1998-07-17
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1998-09-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To contrive improvement in yield and reproducibility by a method wherein a block layer is grown on a flat substrate and a ridge which is narrow in the vicinity of the end plane and is wide in the central part is formed on the block layer, after which a groove which is not reaching the substrate in the vicinity of the end plane and is reaching that in the central part is formed in the center of the ridge. CONSTITUTION:On a P-GaAs substrate 1, an N-GaAs block layer 2 of 2mum thick is formed by an LPE method. On this block layer 2, a ridge 11 whose width is narrow in the vicinity of the end plane and is wide in the central part is formed by etching. Then, a groove 12 which is not reaching the substrate 1 in the vicinity of the end plane and is reaching that in the central part is formed approximately in the center of the ridge by etching. Finally, on the wafer which has been subjected to the above mentioned treatments, a P-Ga0.55Al0.45As clad layer 3, a Ga0.9Al0.1As active layer 4, an N-Ga0.55Al0.45As clad layer 5, and an N-GaAs contact layer 6 are grown in this order. Namely, the block layer 2 is grown on the flat substrate 1, so that a process for growing the layer on a stepped part is effected only once as a second growth. Accordingly, the improvement in yield can be contrived and the reproducibility of the fabricated semiconductor laser is enhanced.
其他摘要	目的：通过一种方法来设计产量和再现性的改进，其中在平坦的基板上生长阻挡层，并且在阻挡层上形成在端面附近窄并且在中心部分宽的脊。在脊的中心形成有一个凹槽，该凹槽在端面附近没有到达基板并且到达中心部分的凹槽。组成：在P-GaAs衬底1上，通过LPE方法形成2μm厚的N-GaAs阻挡层2。在该阻挡层2上，通过蚀刻形成脊11，该脊11的端面附近的宽度窄并且在中心部分宽。然后，通过蚀刻在脊的大致中心处形成凹槽12，该凹槽12在端面附近未到达基板1并且到达中心部分中的凹槽。最后，在经过上述处理的晶片上，P-Ga0.55Al0.45As包覆层3，Ga0.9Al0.1As活性层4，N-Ga0.55Al0.45As包层5和按此顺序生长N-GaAs接触层6。即，阻挡层2生长在平坦基板1上，使得在台阶部分上生长层的过程仅作为第二次生长进行一次。因此，可以设计产量的提高，并且提高制造的半导体激光器的再现性。
申请日期	1989-08-19
专利号	JP2804533B2
专利状态	失效
申请号	JP1989213915
公开（公告）号	JP2804533B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	河野登夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84292
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	別所靖之,米田幸司,吉年慶一,等. 半導体レーザの製造方法. JP2804533B2[P]. 1998-07-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2804533B2.PDF（41KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文