Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 自励発振型半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ素子 |
| 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 別所 靖之; 茨木 晃; 吉年 慶一 | |
| 2001-11-09 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2002-01-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 可飽和光吸収層5、15の両面に、アンドープの不純物拡散防止層4、6、14、16を設けた。 |
| 其他摘要 | 用途：通过将可饱和光吸收层夹在杂质扩散防止层之间，例如，防止杂质扩散到可饱和光吸收层中。未掺杂的图层。组成：在第一包层13上形成未掺杂的杂质扩散防止层14.然后在其上交替层叠拉伸应变阱层15a和p型阻挡层15b，以形成包括拉伸应变倍数的饱和光吸收层15。量子阱结构具有基本上对应于振荡光能量的带隙。然后，在可饱和光吸收层15上基本上在其中心形成沿谐振器长度方向条纹延伸的未掺杂杂质扩散防止层16。因此，在操作时扩散的杂质被未掺杂的杂质扩散防止层14,16包围，并防止到达可饱和光吸收层15。 |
| 授权日期 | 2001-11-09 |
| 申请日期 | 1994-05-24 |
| 专利号 | JP3249291B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994109896 |
| 公开（公告）号 | JP3249291B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/065 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 芝野 正雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41788 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,本多 正治,池上 隆俊,等. 自励発振型半導体レーザ素子. JP3249291B2[P]. 2001-11-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3249291B2.PDF（45KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [庄野 昌幸]的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [庄野 昌幸]的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [庄野 昌幸]的文章 |
| [本多 正治]的文章 |
| [池上 隆俊]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论