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一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109841501A, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
发明人:  方志来;  吴征远;  田朋飞;  闫春辉;  张国旗
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一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109830581A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
发明人:  方志来;  吴征远;  田朋飞;  闫春辉;  张国旗
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电气元件搭载用封装体和阵列型封装体以及电气装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109564900A, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
发明人:  山元泉太郎;  古久保洋二;  冈本征宪;  东登志文
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