一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法

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	一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法
其他题名	一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法
	方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
	2019-06-04
专利权人	深圳第三代半导体研究院
公开日期	2019-06-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率、更稳定、更高光效的紫光波段到红外光波段发光二极管、激光器、光电探测器与太阳能电池。
其他摘要	本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率、更稳定、更高光效的紫光波段到红外光波段发光二极管、激光器、光电探测器与太阳能电池。
申请日期	2019-03-12
专利号	CN109841501A
专利状态	申请中
申请号	CN201910183598.5
公开（公告）号	CN109841501A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L31/0304 \| H01L33/32 \| H01S5/343
专利代理人	李明
代理机构	北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92405
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳第三代半导体研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,吴征远,田朋飞,等. 一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法. CN109841501A[P]. 2019-06-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109841501A.PDF（970KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文