一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法
其他题名	一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法
	方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
	2019-05-31
专利权人	深圳第三代半导体研究院
公开日期	2019-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法，包括：步骤1：采用非对称岛生长方法在衬底上生长半极性氮化镓薄膜模板；步骤2：在制备的半极性氮化镓薄膜模板上生长半极性铟镓氮二维超薄层结构。该方法可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。
其他摘要	本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法，包括：步骤1：采用非对称岛生长方法在衬底上生长半极性氮化镓薄膜模板；步骤2：在制备的半极性氮化镓薄膜模板上生长半极性铟镓氮二维超薄层结构。该方法可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。
申请日期	2019-03-11
专利号	CN109830581A
专利状态	申请中
申请号	CN201910178462.5
公开（公告）号	CN109830581A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L33/00 \| H01S5/343 \| H01L31/0304
专利代理人	李明
代理机构	北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92402
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳第三代半导体研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,吴征远,田朋飞,等. 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法. CN109830581A[P]. 2019-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109830581A.PDF（1910KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文