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一种多个二极管激光器列阵封装结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069418A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  孙晖;  马建军;  丘仁和;  甘润;  安建欣;  申永;  徐林;  吴应明;  郭成正;  刘金标
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一种多个二极管激光器列阵封装结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206195150U, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2017-05-24
发明人:  孙晖;  马建军;  丘仁和;  甘润;  安建欣;  申永;  徐林;  吴应明;  郭成正;  刘金标
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在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明;  修向前;  刘斌;  李亮;  郑有炓;  顾书林;  江若琏;  施毅;  朱顺明;  胡立群
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基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1747130A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15
发明人:  施毅;  鄢波;  濮林;  张匡吉;  韩平;  张荣;  郑有炓
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