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一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206820249U, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
发明人:  李马惠;  潘彦廷;  卫思逸;  王昱玺;  冯旭超;  穆瑶;  师宇晨;  王兴;  罗俊岗;  刘从军;  张海超;  王娜;  党晓亮
Adobe PDF(617Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：213/0  |  提交时间：2019/12/24
一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107453204A, 申请日期: 2017-12-08, 公开日期: 2017-12-08
发明人:  胡忞远;  杨帆;  陈如山;  方娜;  刘巍;  金灿;  阳红涛;  刘应军;  王任凡
Adobe PDF(828Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2020/01/18
改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107221838A, 申请日期: 2017-09-29, 公开日期: 2017-09-29
发明人:  王娜;  李马惠;  潘彦廷;  王昱玺;  陈怡婷;  党晓亮;  燕聪慧
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2020/01/18
由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104428441B, 申请日期: 2017-04-12, 公开日期: 2017-04-12
发明人:  朱鸣伟;  奈格·B·帕蒂班德拉;  汪荣军;  维韦卡·阿格拉沃尔;  阿纳塔·苏比玛尼;  丹尼尔·L·迪尔;  唐先明
Adobe PDF(3562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/26
由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104428441B, 申请日期: 2017-04-12, 公开日期: 2017-04-12
发明人:  朱鸣伟;  奈格·B·帕蒂班德拉;  汪荣军;  维韦卡·阿格拉沃尔;  阿纳塔·苏比玛尼;  丹尼尔·L·迪尔;  唐先明
Adobe PDF(3562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/12/26
带有激发光源的等离子体测量探头 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205941367U, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2017-02-08
发明人:  曲大鹏;  孟祥俊;  邓岩;  牛娜;  任广胜;  王彦;  郑权
Adobe PDF(77Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/24
一种面发射分布反馈激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106329315A, 申请日期: 2017-01-11, 公开日期: 2017-01-11
发明人:  邹永刚;  田锟;  石琳琳;  马晓辉;  王海珠;  范杰;  徐莉;  海一娜;  白云峰
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2020/01/18