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一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片
其他题名一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片
李马惠; 潘彦廷; 卫思逸; 王昱玺; 冯旭超; 穆瑶; 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 刘从军; 张海超; 王娜; 党晓亮
2017-12-29
专利权人陕西源杰半导体技术有限公司
公开日期2017-12-29
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片,包括基板,基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW,DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接,DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层,DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5~0.8,通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层,大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性,有了这种结构后,EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面,也能够达到抗反射特性,从而降低了制造工艺复杂性,降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。
其他摘要本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片,包括基板,基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW,DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接,DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层,DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5~0.8,通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层,大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性,有了这种结构后,EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面,也能够达到抗反射特性,从而降低了制造工艺复杂性,降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。
授权日期2017-12-29
申请日期2017-06-12
专利号CN206820249U
专利状态授权
申请号CN201720678133.3
公开(公告)号CN206820249U
IPC 分类号H01S5/12 | H01S5/343
专利代理人徐文权
代理机构西安通大专利代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40294
专题半导体激光器专利数据库
作者单位陕西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
李马惠,潘彦廷,卫思逸,等. 一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片. CN206820249U[P]. 2017-12-29.
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