Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片 | |
其他题名 | 一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片 |
李马惠; 潘彦廷; 卫思逸; 王昱玺; 冯旭超; 穆瑶; 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 刘从军; 张海超; 王娜; 党晓亮 | |
2017-12-29 | |
专利权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
公开日期 | 2017-12-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片,包括基板,基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW,DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接,DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层,DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5~0.8,通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层,大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性,有了这种结构后,EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面,也能够达到抗反射特性,从而降低了制造工艺复杂性,降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。 |
其他摘要 | 本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片,包括基板,基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW,DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接,DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层,DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5~0.8,通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层,大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性,有了这种结构后,EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面,也能够达到抗反射特性,从而降低了制造工艺复杂性,降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。 |
授权日期 | 2017-12-29 |
申请日期 | 2017-06-12 |
专利号 | CN206820249U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201720678133.3 |
公开(公告)号 | CN206820249U |
IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/343 |
专利代理人 | 徐文权 |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40294 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李马惠,潘彦廷,卫思逸,等. 一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片. CN206820249U[P]. 2017-12-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN206820249U.PDF(617KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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