由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层

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	由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层
其他题名	由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层
	朱鸣伟; 奈格·B·帕蒂班德拉; 汪荣军; 维韦卡·阿格拉沃尔; 阿纳塔·苏比玛尼; 丹尼尔·L·迪尔; 唐先明
	2017-04-12
专利权人	应用材料公司
公开日期	2017-04-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
其他摘要	本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
申请日期	2013-07-01
专利号	CN104428441B
专利状态	授权
申请号	CN201380035434.9
公开（公告）号	CN104428441B
IPC 分类号	C23C14/34 \| C23C14/06 \| C23C14/54
专利代理人	徐金国 \| 赵静
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49731
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	应用材料公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱鸣伟,奈格·B·帕蒂班德拉,汪荣军,等. 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层. CN104428441B[P]. 2017-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104428441B.PDF（3562KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文