一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法

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	一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法
其他题名	一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法
	胡忞远; 杨帆; 陈如山; 方娜; 刘巍; 金灿; 阳红涛; 刘应军; 王任凡
	2017-12-08
专利权人	武汉电信器件有限公司
公开日期	2017-12-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法。本发明采用双曝光技术来制作DFB激光器中的部分光栅，即谐振腔长内并没有完全覆盖均匀光栅，而是在我们选择的两侧腔面留有一定长度的光栅间隔，从而提高了高调制频率的直调DFB激光器电特性的一致性分布且得到了更优的光谱特性。本发明利用双曝光技术来实现带有一定长度光栅间隔的非均匀光栅的制作，该方法结合全息干涉的光栅制作平台，以及用紫外光刻机和设计留有一定间隔的掩膜版图这两道曝光工艺来实现所设计的部分光栅。本发明利用折射率耦合的部分光栅配合脊型波导实现DFB激光器良好的光电特性和一致性的提升。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法。本发明采用双曝光技术来制作DFB激光器中的部分光栅，即谐振腔长内并没有完全覆盖均匀光栅，而是在我们选择的两侧腔面留有一定长度的光栅间隔，从而提高了高调制频率的直调DFB激光器电特性的一致性分布且得到了更优的光谱特性。本发明利用双曝光技术来实现带有一定长度光栅间隔的非均匀光栅的制作，该方法结合全息干涉的光栅制作平台，以及用紫外光刻机和设计留有一定间隔的掩膜版图这两道曝光工艺来实现所设计的部分光栅。本发明利用折射率耦合的部分光栅配合脊型波导实现DFB激光器良好的光电特性和一致性的提升。
申请日期	2017-07-28
专利号	CN107453204A
专利状态	申请中
申请号	CN201710632079.3
公开（公告）号	CN107453204A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/30
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92000
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉电信器件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	胡忞远,杨帆,陈如山,等. 一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法. CN107453204A[P]. 2017-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107453204A.PDF（828KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文