Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法 | |
| 其他题名 | 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法 |
| 王娜; 李马惠; 潘彦廷; 王昱玺; 陈怡婷; 党晓亮; 燕聪慧 | |
| 2017-09-29 | |
| 专利权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 公开日期 | 2017-09-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 专利号 | CN107221838A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710439212.3 |
| 公开（公告）号 | CN107221838A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 徐文权 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90569 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王娜,李马惠,潘彦廷,等. 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法. CN107221838A[P]. 2017-09-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107221838A.PDF（167KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王娜]的文章 |
| [李马惠]的文章 |
| [潘彦廷]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王娜]的文章 |
| [李马惠]的文章 |
| [潘彦廷]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王娜]的文章 |
| [李马惠]的文章 |
| [潘彦廷]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论