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硅基半导体超短脉冲激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103414106B, 申请日期: 2015-07-15, 公开日期: 2015-07-15
发明人:  丁颖;  倪海桥;  李密锋;  喻颖;  查国伟;  徐建新;  王莉娟;  牛智川
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InGaAs-MSM photodetector with low dark current 期刊论文
Guangzi Xuebao/Acta Photonica Sinica, 2015, 卷号: 44, 期号: 6
作者:  Yan, Xin;  Wang, Tao;  Yin, Fei;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Xin, Li-Wei;  Tian, Jin-Shou
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