硅基半导体超短脉冲激光器

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	硅基半导体超短脉冲激光器
其他题名	硅基半导体超短脉冲激光器
	丁颖; 倪海桥; 李密锋; 喻颖; 查国伟; 徐建新; 王莉娟; 牛智川
	2015-07-15
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-07-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
其他摘要	一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
主权项	一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述的缓冲层的材料为GaAs或Ge/GaAs；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；所述的有源层的材料为In(Ga)As量子点、InGaAs量子阱、Ga(Al)As量子阱或InGaAsP量子阱；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。
申请日期	2013-08-16
专利号	CN103414106B
专利状态	授权
申请号	CN201310357340.5
公开（公告）号	CN103414106B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45597
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	丁颖,倪海桥,李密锋,等. 硅基半导体超短脉冲激光器. CN103414106B[P]. 2015-07-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103414106B.PDF（370KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文