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冷却小通道热沉 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105048281B, 申请日期: 2018-09-04, 公开日期: 2018-09-04
发明人:  井红旗;  仲莉;  倪羽茜;  张俊杰;  刘素平;  马骁宇
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一种全息光栅阵列的制作装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106226854B, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
发明人:  李星辉;  周倩;  朱祥文;  倪凯;  王晓浩;  胡海飞;  燕鹏
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Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan;  Ma, Ben;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp