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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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倒像式像增强型超快成像探测器 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910688741.6, 申请日期: 2019-07-29, 公开日期: 2019-11-22
发明人:  田进寿;  何凯;  高贵龙;  汪韬;  闫欣;  辛丽伟;  李少辉;  尹飞;  韦永林;  徐向晏;  卢裕;  王兴;  刘虎林;  陈萍;  温文龙;  王超;  王俊峰;  赛小锋
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半导体激光加工装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109604838A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
发明人:  陈畅;  柳啸;  范小贞;  唐立恒;  张一谋;  袁广为;  王婷入;  李福海;  高云峰
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主动照明强度相干成像散斑效应仿真及实验研究 期刊论文
光子学报, 2019, 卷号: 48, 期号: 1
作者:  李冲;  高昕;  秦星;  李希宇;  陆长明
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强度相干成像  主动照明  散斑效应  光强涨落  图像恢复