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一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109038220A, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
发明人:  李林;  曾丽娜;  李再金;  赵志斌;  曲轶;  彭鸿雁
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一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108233176A, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
发明人:  李林;  曾丽娜;  李再金;  赵志斌;  李特;  乔忠良;  任永学;  曲轶;  彭鸿雁
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一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107732656A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
发明人:  李林;  曾丽娜;  李再金;  赵志斌;  李特;  曲轶;  彭鸿雁;  张铁民
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一种M型渐变波导半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107579431A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
发明人:  李林;  曾丽娜;  赵志斌;  李再金;  李特;  曲轶;  张铁民;  彭鸿雁
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