一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法

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	一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
其他题名	一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
	李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 李特; 乔忠良; 任永学; 曲轶; 彭鸿雁
	2018-06-29
专利权人	海南师范大学
公开日期	2018-06-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种电注入GaN垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法，包括底部分布布拉格反射镜(DBR)和顶部DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种带有VCSEL电流注入层外延结构，即在隧道结上方外延生长一层电流注入层，然后利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN垂直腔面发射激光器完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本发明提出的VCSEL电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，提高电流注入多量子阱有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，从而有利于实现VCSEL电注入激光光源。
其他摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种电注入GaN垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法，包括底部分布布拉格反射镜(DBR)和顶部DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种带有VCSEL电流注入层外延结构，即在隧道结上方外延生长一层电流注入层，然后利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN垂直腔面发射激光器完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本发明提出的VCSEL电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，提高电流注入多量子阱有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，从而有利于实现VCSEL电注入激光光源。
主权项	一种电注入GaN垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构，其特征在于，包括底部分布布拉格反射镜（DBR）、多量子阱有源层、隧道结、电流注入层以及顶部DBR。
申请日期	2018-01-28
专利号	CN108233176A
专利状态	申请中
申请号	CN201810080742.8
公开（公告）号	CN108233176A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56852
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	海南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李林,曾丽娜,李再金,等. 一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法. CN108233176A[P]. 2018-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108233176A.PDF（942KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文